Открывающий семинар провел кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН Николай Фалеев. В ходе лекции Николай Николаевич, являясь специалистом в области структурной диагностики материалов и молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводников А3В5, рассказал не только об истории развития, методиках и современном состоянии метода рентгеновской дифрактометрии, но и собственном многолетнем опыте в этой области. На примере наногетероструктур на основе полупроводников А3As, A3P и A3Sb он наглядно, в занимательной форме показал, как происходит образование и развитие дефектов в многослойных полупроводниковых кристаллах, как они взаимодействуют друг с другом и к чему в итоге это может приводить.

Также была затронута тема прямого синтеза полупроводниковых пленок А3В5 на подложках кремния – одно из самых активно развивающихся и интересных с точки зрения прикладной науки направления исследований в области технологии полупроводников и устройств на их основе.

В семинаре приняло участие более 50 слушателей, в т.ч. из Новгорода, Новосибирска, Москвы, и Нижнего Новгорода. Запись лекции можно посмотреть на YouTube-канале Точки кипения ИТА ЮФУ.

Семинар проводился в рамках проекта Российского научного фонда №20-69-46076 "Монолитная интеграция полупроводников А3В5 на кремнии для интегральных элементов оптоэлектроники и нанофотоники" (руководитель – доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор Олег Агеев) при поддержке Лаборатории технологии функциональных наноматериалов ИНЭП ЮФУ.