Авдеев Сергей Петрович
Образование и повышение квалификации:
-
высшее образование:
Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д. Калмыкова
(01.09.1979
-
30.08.1984)
0611 Вакуумные и полупроводниковые приборы
Инженер электронной техники
-
послевузовское образование:
Таганрогский государственный радиотехнический университет
(01.09.1993
-
16.02.1996)
05.27.05 - интегральные радиоэлектронные устройства
кандидат технических наук
-
повышение квалификации:
Томский государственный университет
(23.05.2005
-
04.06.2005)
Наноструктурные материалы на металлической и керамической основе: технология, структура и свойства
Удостоверение
-
повышение квалификации:
Южный Федеральный Университет
(23.01.2017
-
24.02.2017)
ПРОТИВОДЕЙСТВИЕ КОРРУПЦИИ В СФЕРЕ ОБРАЗОВАНИЯ
-
повышение квалификации:
факультет управления Южного Федерального Университета
(12.12.2014
-
26.12.2014)
Организация учебного процесса и управление качеством образования
-
повышение квалификации:
Южный Федеральный Университет
(27.11.2017
-
14.12.2017)
Технологии онлайн-обучения в деятельности преподавателя
-
повышение квалификации:
Южный Федеральный Университет
(18.06.2018
-
30.06.2018)
Оказание первой доврачебной помощи
-
повышение квалификации:
Южный Федеральный Университет
(16.06.2018
-
25.06.2018)
Информационные технологии в профессиональной деятельности
-
повышение квалификации:
Моско́вский институ́т электро́нной те́хники
(06.11.2018
-
05.12.2019)
Тепловые микроэлектромеханические сенсоры
Дата начала общего стажа: 16.11.1983
Стаж по специальности (в годах): 38
Преподаваемые дисциплины:
-
Технология производства электронных средств
Содержаться основы технологии производства электронных средств и методы изготовления радиоэлектронной аппаратуры, узлов и блоков с учетом технической экологии. Основы организации производственных и технологических процессов. Рассматриваются типовые технологические процессы и оборудование для изготовления коммутационных устройств, типовые технологические процессы сборки и монтажа электронных средств.
Содержание курса
Производство радиоэлектронных средств. Технические и технологические характеристики и требования к радиоэлектронных средств. Методы оценки качества радиоэлектронных средств. Единичные и комплексные показатели качества. Производственный и технологический процессы. Технологический процесс и его элементы. Коммутационные устройства. Конструктивно-технологические характеристики, методы изготовления печатных плат. Контроль качества печатных плат КУ. Основы теории сборочно-монтажных процессов. Принципы организации сборочномонтажных процессов. Типовые технологические процессы сборки и монтажа радиоэлектронных средств.
-
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов
Основные физические параметры полупроводников. Уравнение Пуассона. Удельная проводимость полупроводника. Основные соотношения полупроводниковой электроники. Типы электрических переходов в полупроводниках. Соотношение Эйнштейна. Cтруктура p-n перехода. Ширина ОПЗ р-n перехода. Емкость р-n перехода. Расчет сплавных выпрямительных диодов. Расчет диффузионного выпрямительного дио-да. Расчет СВЧ выпрямительного диода.
Расчет сплавного биполярного транзистора. Параметры физической Т-образной эквивалентной схемы и h - параметры транзистора с общей базой и общим эмит-тером. Максимально допустимые параметры транзистора Расчет дрейфового планарно-эпитаксиального n+-n-p-n транзистора. Значения констант K1 и К2, связанных с парамет-рами диффузии примеси. Рассчитать распределения примеси в структуре N2(x), N1(x), N(x), N+(x). Электрофизические параметры слоев полупроводника. Параметры эквива-лентной схемы транзистора для большого сигнала. Параметры физической Т-образной эк-вивалентной схемы транзистора и h-параметры транзистора с общей базой и общим эмит-тером. Максимально допустимые параметры транзистора.
-
Технология выращивания кристаллов
Рассматриваются общие сведения о полупроводниках и их классификация. Типы кристаллографических решеток, параметры и индексы Миллера. Основные понятия и определения фазового состояния равновесных систем. Физико-химические свойства ос-новных полупроводников. Обращение с чистыми веществами. Чистые помещения и их характеристики. Подготовка основных и вспомогательных материалов. Получение поли-кристаллического германия и кремния. Получение поликристаллических полупроводни-ковых соединений.
Синтез соединений методом сплавления компонентов. Типы реакторов для син-теза разлагающихся п/п соединений. Методы выращивания монокристаллов. Процесс рос-та монокристалла. Распределение примеси в методах выращивания монокристаллов. Ле-гирование п/п материалов. Потери легирующей примеси. Подготовка монокристаллов к резке на пластины. Резка монокристаллов. Шлифовка пластин.
-
Технология наноструктурированных материалов
В учебном курсе рассматриваются следующие темы. Основные методы и процессы получения наноструктурированных материалов. Физические методы получения изометрических материалов. Физические методы получения пленок и покрытий, нитевидных и пористых материалов. Химические методы получения изометрических материалов. Пленки и покрытия. Нитевидные материалы. Пористые материалы. Матричные методы. Нанолитография. Биологические методы. Технология полупроводников. Построение технологического процесса.
Дополнительная информация:
Область научных интересов ; вакуумная техника и вакуумные технологические процессы (осаждение материалов, получение тонких и толстых плёнок различных материалов, модификация поверхности); взаимодействие электронного пучка с рельефными и гладкими поверхностями полупроводников и диэлектриков; применение электронного луча в производстве оптических, электронных, микроэлектронных и других видов приборов; синтез стеклообразных пленок золь-гель методом; технология полупроводниковых материалов. Проектирование и конструирование вакуумного оборудования для электронно-лучевой обработки поверхности материалов и элементов приборов. Разработка технологических процессов электронно-лучевой обработки элементов прибора с целью получения определенных характеристик данного прибора.
