Молодой ученый Института нанотехнологий, электроники и приборостроения ЮФУ, доцент кафедры нанотехнологий и микросистемной техники и сотрудник НОЦ "Нанотехнологии", к.т.н. Максим Солодовник принял участие в XX Международной конференции по молекулярно-пучковой эпитаксии (IC MBE 2018), проходившей со 2 по 7 сентября в г. Шанхай, КНР.
Конференция является крупнейшим международным научным мероприятием в области физики процессов и технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, а также одним из крупнейших – в области полупроводниковых наногетероструктур и приборов на их основе, каждые два года собирающим свыше 450 представителей ведущих мировых школ, научно-исследовательских и производственных центров.
Южный федеральный университет представлял Максим Солодовник., который выступил с докладами “Molecular beam epitaxy of In/AlGaAs droplet nanostructures” и “Simulation of the droplet epitaxial growth of indium nanostructures on the patterned GaAs substrates” по результатам, полученными в рамках проекта Российского научного фонда №15-19-10006 “Эпитаксиальные гетероструктуры с регулярными массивами самоорганизующихся наноструктур А3В5” (руководитель – чл.-корр. РАН, д.т.н., проф. Агеев О.А.).
Участие в конференции позволило не только обсудить с известными отечественными и зарубежными коллегами результаты исследований, связанные с проблемами управляемого синтеза наноструктур и построения на их основе перспективных элементов одно- и нанофотоники и наноэлектроники, но и наметить траекторию дальнейшего развития данной тематики.
Краткая ссылка на новость sfedu.ru/news/56746
