Главным направлением исследований стало изучение информационно-телекоммуникационные системы, а также технологии создания электронной компонентной базы и энергоэффективных световых устройств.

В ходе работы был проведен аналитический обзор литературных источников по основным проблемам получения регулярных массивов самоорганизующихся наноструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5 с использованием современных методик.

Также были проанализированы методики и выбор материалов резистивных и маски-рующих слоев для электронно-лучевой литографии и плазмохимической обработки эпитаксиальных гетероструктур А3В5.

Были проведены теоретические исследования термодинамических законо-мерностей процессов межфазного взаимодействия в системе (In,Ga)As-О2-H2O на нескольких этапах: на этапе формирования оксидных наноразмерных структур с учетом нелинейных температурных зависимостей теплофизических свойств соединений, а также на этапе удаления окисла и оксидных наноразмерных структур арсенида индия и галлия  (In,Ga)As с учетом нелинейных температурных зависимостей теплофизических свойств соединений и режимов, реализуемых в методе молекулярно-лучевой эпитаксии.

Были экспериментально исследованы процессы наноразмерного профилирования поверхности эпитаксиальных слоев арсенида галлия GaAs методом локального анодного окисления с учетом основных управляющих параметров процесса окисления, а также методом фокусированных ионных пучков с учетом основных управляющих параметров метода.

Были осуществлены экспериментальные исследования процессов формирования самоорганизующихся наноструктур арсенидов индия и галлия(In,Ga)As методом капельной молекулярно-лучевой эпитаксии с учетом основных управляющих параметров метода. В результате была продемонстрирована возможность получения приемлемых с точки зрения геометрических параметров самоорганизующихся структур методом капельной молекулярно-лучевой эпитаксии при относительно высоких температурах, что критически важно для структур, ориентированных на приборное применение.

Полученные в рамках проекта теоретические и экспериментальные результаты предназначены для использования в разработке перспективных технологических процессов серийного производства наногетероструктур А3В5 с массивами упорядоченных самоорганизующихся упомянутых выше наноструктур с высокой регулярностью и однородностью геометрических параметров и возможностью их локализации для создания элементной базы нано- и одноэлектроники, спинтроники и фотоники.

Дальнейшее развитие исследований в рамках проекта предполагает теоретические и экспериментальные исследования процессов самоорганизации наноструктур арсенидов индия и галлия (In,Ga)As методом капельной молекулярно-лучевой эпитаксии, а также развитие вышеупомянутых положений проекта.

Ссылки на публикации в рецензируемых научных журналах, включенных в базы данных WEB OF SCIENCE и SCOPUS:

. O.A. Ageev, M.S. Solodovnik, S.V. Balakirev, I.A. Mikhaylin. Monte Carlo sim-ulation of V/III flux ratio influence on GaAs island nucleation during MBE // J. of Physics: Conference Series – 2016 – V.681 – p. 012036

2. Агеев О.А., Балакирев С.В., Солодовник М.С., Еременко М.М. Влияние взаимодействия в системе Ga-As-O на морфологию поверхности GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии // Физика твердого тела (переводной Physics of the Solid State) – 2016 – Т.58, N5 – С. 1011-1018

3. O.A. Ageev, S.V. Balakirev, Al.V. Bykov, E.Yu. Gusev, A.A. Fedotov, J.Y. Jityaeva, O.I. Il’in, M.V. Il’ina, A.S. Kolomiytsev, B.G. Konoplev, S.U. Krasnoborodko, V.V. Polyakov, V.A. Smirnov, M.S. Solodovnik, E.G. Zamburg. Development of new metamaterials for advanced element base of micro- and nanoe-lectronics, and microsystem devices. Chapter In: Advanced Materials – Manufactur-ing, Physics, Mechanics and Applications. Parinov, Ivan A., Chang, Shun-Hsyung, Topolov, Vitaly Yu. (Eds.) / Springer International Publishing Switzerland – 2016 – 702 p.