Владимиром Александровичем были успешно представлены последние достижения Южного федерального университета в области FORMING-FREE резистивного переключения нанокристаллических пленок оксида цинка, которые могут быть использованы при изготовлении элементов микро- и наноэлектроники, в частности, для создания новых компонентов мемристорной памяти и нейроморфных систем.

Результаты исследования получили высокую оценку представителей промышленности и научных коллективов, занимающиеся исследованиями в представленной области научных интересов, отмечена уникальность полученных результатов и практическая направленность, позволяющая осуществить апробацию и внедрение результатов в производство.

По итогам выступления доклад Владимира Смирнова был отмечен благодарственным письмом Оргкомитета форума, отражающим высокий вклад в развитие новых перспективных направлений.

Полученные результаты выполнены при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований в рамках научного проекта «Мемристорные структуры, не требующие формовки, на основе оксидов металлов для сверхбыстродействующих элементов энергонезависимой памяти», проект № 19-29-03041 мк.