Кайдашев Евгений Михайлович
Образование и повышение квалификации:
-
высшее образование:
Ростовский госуниверситет
(01.09.1970
-
30.06.1978)
Радиофизика и электроника
Радиофизик
-
послевузовское образование:
Ионсейский университет, Сеул, Южная Корея
(08.10.2008
-
23.10.2008)
Организация образовательной деятельности и перспективные направления фундаментальных исследований в области материаловедения, физико-химических методов исследования и биохимии в Ионсейском университете
Дата начала общего стажа: 01.09.1978
Стаж по специальности (в годах): 40
Преподаваемые дисциплины:
-
Материалы и методы нанотехнологии
Физические и технологические проблемы и ограничения микроминиатюризации полупроводниковых устройств. Применение методов НТ для уменьшения размеров приборов.Перспективные наноматериалы и направления нанотехнологии.Сравнительный анализ перспектив ультрафиолетовой, электронной, ионной и рентгеновской литографий. Основные методы получения многослойных тонкопленочных структур. Гетероструктуры с квантовыми ямами, сверхрешетки. Механизмы самоорганизованного роста полупроводниковых нанокристаллов и углеродных нанотрубок.Методы формирования регулярной системы наноостровков катализатора. Селективный каталитический рост нанокристаллов и нанотрубок. Концепция зондовой нанотехнологии в газовых и жидких средах.Локальное анодное окисление.Зондовые нанотехнологии создания элементной базы наноэлектроники
-
Материаловедение наносистем (Технология получения и методы диагностики). Часть1 и 2.
Взаимодействие мощного лазерного излучения с веществом. Основные направления использования лазеров в технологии микро и наноэлектроники Атомно-молекулярные процессы кристаллизации материалов. Зондовые методы исследования лазерной плазмы. Исследования лазерного факела методом время- пролетной оптической спектроскопии. Метод импульсного лазерного испарения материалов. Лазерные методы создания тонкопленочных структур на основе полупроводников, высокотемпературных сверхпроводников, сегнетоэлектриков , манганитов со структурой перовскита и мультиферроиков. Лазерный синтез полупроводниковых наностержней и углеродных нанотрубок. Лазерно-стимулированные процессы осаждения, травления и легирования в технологии микро-и наноэлектроники. Лазерный синтез наночастиц благородных металлов. Лазерные методы создания регулярных наноструктур. Практикум по синтезу наноматериалов.
Дополнительная информация:
Должность: доцент
Ученая степень: доктор физико-математических наук
Ученое звание: доцент
Автобиография
" 1978 - окончил физический факультет РГУ по специальности радиофизика.
" 1978 - младший научный сотрудник НИИМ и ПМ РГУ.
" 1995 - защитил кандидатскую диссертацию на тему: "Эпитаксиальные пленки высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-x. Получение и использование" в Институте радиотехники и электроники РАН, г. Москва.
" 1996 - ведущий научный сотрудник НИИМ и ПМ РГУ.
" 2000 -2019 заведующий лабораторией "Наноматериалов" , НИИММ и КН ЮФУ. 2014-2019 главный научный сотрудник ИММ и КН ЮФУ
2005 -2019 доцент кафедры нанотехнологии физического факультета
2018 г. защитил диссертацию доктора физико-математических наук на тему :"Создание и исследование элементов новых радифизических устройств на основе тонких пленок и одномерных наноструктур"
Область научных интересов
Физика и технология структур пониженной размерности. Создание элементов и устройств микро-и наноэлектроники.
Опубликовано более 160 научных статей в отечественных и зарубежных журналах и тезисов докладов на отечественных и международных научных конференциях, 5 патентов. Web of Science Research ID:H-7421-2016; Scopus Research ID: 6701357740.
Международное сотрудничество
" С 2000 года проводятся совместные исследования в области лазерного напыления высокотемпературных сверхпроводников, сегнетоэлектриков и полупроводников с лабораторией лазерного напыления (Dr.M.Lorenz, PLD Laboratory, Institut fuer Experimentelle Physik II, University of Leipzig, Germany).
" 2005-2007 гг. совместные исследования в рамках международных европейского проекта Self-Assembled semiconductor Nanostructures for new Devices in photonics and Electronics(Prof.Dr.M.Grundman).
" В 2000-2007 гг. приглашенный ученый (более 3 лет) в PLD Laboratory,Institut fuer Experimentelle Physik II, University of Leipzig,Germany).
