Размер шрифта

A
A

Межстрочный интервал

A
A

Цвет

A
A

Авилов Вадим Игоревич

+7(928) 120-08-30

Кафедра нанотехнологий и микросистемной техники - Доцент

347922, г. Таганрог, ул. Шевченко, 2, ЮФУ, ИНЭП

E-mail:
Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
Персональная страница:
https://sfedu.ru/person/avilovvi
Персональная страница на английском:
https://sfedu.ru/en/person/avilovvi

Степень: Кандидат технических наук

Образование и повышение квалификации:

  • высшее образование: Южный федеральный университет (01.09.2006 - 30.06.2010)
    210600 "Нанотехнология"
    бакалавр
  • высшее образование: Южный федеральный университет (01.09.2010 - 30.06.2012)
    210600 "Нанотехнология"
    магистр
  • высшее образование: Южный федеральный университет (01.09.2012 - 31.08.2016)
    05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах"
    кандидат технических наук
  • повышение квалификации: Южный федеральный университет (18.06.2018 - 30.06.2018)
    Оказание первой доврачебной помощи
  • повышение квалификации: Южный федеральный университет (27.11.2017 - 14.12.2017)
    Технологии онлайн-обучения в деятельности преподавателя
  • повышение квалификации: Южный федеральный университет (16.06.2018 - 25.06.2018)
    Информационные технологии в профессиональной деятельности

Дата начала общего стажа: 15.09.2011

Стаж по специальности (в годах): 9

Преподаваемые дисциплины:

  • Методы математического моделирования
    Изучение математических методов и алгоритмов, приобретение практических навыков разработки математических моделей пр решении инженерных задач математического моделирования конструкций и технологических процессов электроники и микросистемной техники
  • Схемотехника
    Работа биполярных транзисторов и применение их в аналоговых схемах. Усилители различного назначения и их построение. Операционные усилители постоянного и переменного тока. Линейные и нелинейные усилители мощности НЧ-диапазона. Дестабилизирующие факторы в усилителях НЧ. Генераторы и фильтры. Базовые логические элементы. Диодно-транзисторная логика. Транзисторно-транзисторная логика. Униполярные и биполярные технологии изготовления базовых логических элементов. Комбинационные устройства цифровой схемотехники. Преобразователи кодов. Коммутаторы. Компараторы. Сумматоры. Арифметико-логические устройства. Последовательностные устройства цифровой схемотехники. Триггеры. Регистры. Счетчики. Микропроцессоры.
  • Зондовые нанотехнологии
    Изучение принципов работы современного аналитического оборудования, методов нанодиагностики и исследования поверхностей. Изучение методик диагностики и анализа структуры, химического состава, оптических и электрофизических характеристик микро- и наносистем. Изучение основ статистической обработки экспериментальных данных. Изучение физических эффектов, лежащих в основе современных методов диагностики параметров материалов и наноструктур. Изучение современных методов спектроскопии поверхности.
  • Материалы электронной техники
    Электрические свойства полупроводников, диэлектриков, сегнетоэлектриков. Основные свойства металлов и магнитных материалов. Ферриты, магнитодиэлектрики, сплавы и стали. Материалы для активных сред лазеров, волоконнооптической связи, голографиии. Особенности наноматериалов.
  • Моделирование технологических процессов в микро- и наноэлектронике
    Процессы формирования функциональных слоев полупроводниковых приборов. Физические основы процессов и методы математического моделирования этих процессов. Освоение методов математического моделирования технологических процессов с использованием современных персональных компьютеров и математической системы MathCAD.

Дополнительная информация:

Область научных интересов:

Нанотехнологии, наноматериалы, наноэлектроника, микро- и наносистемная техника, сканирующая зондовая микроскопия, нанолитография, углеродные нанотрубки, оксидные наноразмерные структуры, мемристорные структуры, RRAM, нейроморфные системы, мультибитная память


Опыт работы:

2018-н.в. Доцент кафедры нанотехнологии и микросистемной техники, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Южный федеральный университет.

2013-2018 Ассистент кафедры технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры/нанотехнологии и микросистемной техники, Южный федеральный университет.

2011-2013 Инженер кафедры технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры, Южный федеральный университет.


Публикации в журналах, индексируемых в базах данных "Web of Science", "Scopus"

Ageev O.A., Smirnov V.A., Solodovnik M.S., Rukomoikin A.V., Avilov V.I., A Study of the formation modes of nanosized oxide structures of gallium arsenide by local anodic oxidation// Semiconductors, 2012, Vol. 46, N 13, p. 1616;1621.

Avilov V.I., Ageev O.A., Kolomiitsev A.S., Konoplev B.G., Smirnov V.A., Tsukanova O.G., Formation of a Memristor Matrix Based on Titanium Oxide and Investigation by Probe-Nanotechnology Methods// Semiconductors, 2014, Vol. 48, No. 13, pp. 1757;1762.

Avilov V.I., Ageev O.A., Blinov Y.F., Konoplev B.G., Polyakov V.V., Smirnov V.A., Tsukanova O.G., Simulation of the Formation of Nanosize Oxide Structures by Local Anode Oxidation of the Metal Surface// Technical Physics, 2015, Vol. 60, No. 5, pp. 717;723

Avilov V.I., Ageev O.A., Smirnov V.A., Solodovnik M.S., Tsukanova O.G., Studying the Modes of Nanodimensional Surface Profiling of Gallium Arsenide Epitaxial Structures by Local Anodic Oxidation// Nanotechnologies in Russia, 2015, Vol. 10, No. 3;4, pp. 214;219.

V. I. Avilov, O. A. Ageev, B. G. Konoplev, V. A. Smirnov, M. S. Solodovnik, and O. G. Tsukanova, Study of the Phase Composition of Nanostructures Produced by the Local Anodic Oxidation of Titanium Films// Semiconductors, 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 601;606.

V.I. Avilov, O.A. Ageev, I.L. Jityaev, A.S. Kolomiytsev, V.A. Smirnov, Investigation of memristor effect on the titanium nanowires fabricated by focused ion beam // International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016, Vol. 10224 102240T, P. 5.

V I Avilov, N V Polupanov, R V Tominov, V A Smirnov and O A Ageev, Scanning probe nanolithography of resistive memory element based on titanium oxide memristor structures // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering 2017, Vol. 256, 012001, P. 5.

M S Solodovnik, S V Balakirev, M M Eremenko, I A Mikhaylin, V I Avilov, S A Lisitsyn and O A Ageev, Droplet epitaxy of GaAs nanostructures on the As-stabilized GaAs(001) surface // IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 2017, Vol. 917, 032037, P. 5.

Lisitsyn, S.A., Balakirev, S.V., Avilov, V.I., Kolomiytsev, A.S., Klimin, V.S., Solodovnik, M.S., Konoplev, B.G., Ageev, O.A, Study of Nanoscale Profiling Modes of GaAs Epitaxial Structures by Focused Ion Beams // Nanotechnologies in Russia, Volume 13, Issue 1-2, 1 January 2018, Pages 26-33

V I Avilov, V A Smirnov, A A Fedotov, R V Tominov, N A Sharapov and N A Polupanov, Formation of memristor nanostructures for RRAM memory by local anodic oxidation // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering Vol. 443 (2018) 012004

I L Jityaev, A M Svetlichnyi, V I Avilov, I N Kots, A S Kolomiytsev, O A Ageev, Influence of the FIB parameters on the etching of planar nanosized multigraphene/SiC field emitters // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering Vol. 443 (2018) 012012

O G Karenkih, V I Avilov, V A Smirnov, A A Fedotov, N A Sharapov and N A Polupanov, Modelling of local anodic oxidation of titanium oxide nanostructures formation process // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering Vol. 443 (2018) 012013

R V Tominov, V A Smirnov, V I Avilov, A A Fedotov, V S Klimin and N E Chernenko, Formation of ZnO memristor structures by scratching probe nanolithography // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering Vol. 443 (2018) 012036

V I Avilov, A S Kolomiytsev, R V Tominov, N I Alyabyeva, E M Bykova, Investigation of the electrode material influence on the titanium oxide nanosize structures memristor effect // IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series Vol. 1124 (2018) 022019

V. A. Smirnov, R. V. Tominov, V. I. Avilov, N. I. Alyabieva, Z. E. Vakulov, E. G. Zamburg, D. A. Khakhulin, O. A. Ageev, Investigation into the Memristor Effect in Nanocrystalline ZnO Films // Semiconductors, 2019, Vol. 53, No. 1, pp. 72;77.

Klimin, V.S., Tominov, R.V., Avilov, V.I., Dukhan, D.D., Rezvan, A.A., Zamburg, E.G., Smirnov, V.A., Ageev, O.A Nanoscale profiling and memristor effect of ZnO thin films for RRAM and neuromorphic devices application // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 2019, 11022,110220E
doi: 10.1117/12.2522322

V I Avilov, V A Smirnov, R V Tominov, N A Sharapov, N A Polupanov, O A Ageev Phase composition investigation of titanium oxide nanostructures obtained by the local anodic oxidation // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 699 (2019) 012003

V I Avilov, V A Smirnov, R V Tominov, N A Sharapov, A A Avakyan, V V Polyakova, O A Ageev Atomic force microscopy of titanium oxide nanostructures with forming-free resistive switching // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 699 (2019) 012004

D D Dukhan, R V Tominov, V I Avilov, E G Zamburg, V A Smirnov, O A Ageev Investigation of resistive switching effect in nanocrystalline TiO2 thin film for neuromorphic system manufacturing // Journal of Physics: Conference Series 1400 (2019) 055032

V V Polyakova, I N Kots, V I Avilov, N V Parshina, V A Smirnov Combined scanning probe nanolithography and liquid etching techniques for profiled nanostructures formation // Journal of Physics: Conference Series 1410 (2019) 012047

V A Smirnov, R V Tominov, V I Avilov, A A Avakyan, O A Ageev Forming-free resistive switching in nanocrystalline hafnium oxide films // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 699 (2019) 012053

R V Tominov, N A Polupanov, V I Avilov, M S Solodovnik, N V Parshina, V A Smirnov, O A Ageev Investigation of resistive switching in gallium oxide nanostructures formed by local anodic oxidation // Journal of Physics: Conference Series 1410 (2019) 012233

Avilov, V.I., Tominov, R.V., Sharapov, N.A., Smirnov, V.A., Ageev, O.A. Local Anodic Oxidation Proceses Influence and Temterature Stability on the Memristive Propherties of Titanium Oxide Nanostructures for ReRAM Development // Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies, MWENT 2020 ; Proceedings, 2020, 9067405

Tominov, R.V., Vakulov, Z.E., Avilov, V.I., Khakhulin, D.A., Fedotov, A.A., Zamburg, E.G., Smirnov, V.A., Ageev, O.A. Synthesis and memristor effect of a forming-free ZnO nanocrystalline films // Volume 10, Issue 5, 2020, 1007

Публикации в журналах, индексируемых в базе данных  "РИНЦ"

Агеев О.А., Смирнов В.А., Солодовник М.С., Авилов В.И., Исследование режимов локального анодного окисления эпитаксиальных структур арсенида галлия// Известия ЮФУ. Технические науки. 2011. N 4 (117). С. 8-13

Агеев О.А., Смирнов В.А., Солодовник М.С., Рукомойкин А.В., Авилов В.И., Исследование режимов формирования оксидных наноразмерных структур арсенида галлия методом локального анодного окисления// Известия высших учебных заведений. Электроника. 2012. N 2 (94). С. 43-50

Авилов В.И., Агеев О.А., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Смирнов В.А., Цуканова О.Г., Формирование и исследование матрицы мемристоров на основе оксида титана методами зондовой нанотехнологии// Известия высших учебных заведений. Электроника. 2014. N 2 (106). С. 50-57.

Авилов В.И., Смирнов В.А., Саубанова Л.Р., Формирование и исследование макета массива мемристоров на основе оксидных наноразмерных структур титана// Актуальные проблемы нано- и микроэлектроники. 2015, С. 96

Авилов В.И., Агеев О.А., Блинов Ю.Ф., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Смирнов В.А., Цуканова О.Г., Моделирование процесса формирования оксидных наноразмерных структур методом локального анодного окисления поверхности металла// Журнал технической физики. 2015. Т. 85. N 5. С. 88-93.

Авилов В.И., Агеев О.А., Смирнов В.А., Солодовник М.С., Цуканова О.Г., Исследование режимов наноразмерного профилирования поверхности эпитаксиальных структур арсенида галлия методом локального анодного окисления// Российские нанотехнологии. 2015. Т. 10. N 3-4. С. 42-46

Смирнов В.А., Авилов В.И., Саубанова Л.Р., Солодовник М.С., Полякова В.В., Цуканова О.Г., Краснобородько С.Ю., Профилирование эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом локального анодного окисления// Известия ЮФУ. Технические науки. 2015. N 9 (170). С. 84-93.

В.И. Авилов, O.А. Агеев, Б.Г. Коноплев, В.А. Смирнов, М.С. Солодовник, О.Г. Цуканова, Исследование фазового состава наноразмерных структур, полученных локальным анодным окислением пленок титана// Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, вып. 5, С 612-618

В.И. Авилов, В.А. Смирнов, Н.А. Шарапов, Размерный эффект в мемристорных наноструктурах на основе оксида титана для создания элементов систем искусственного интеллекта и синаптроники // Известия ЮФУ. Технические науки. 2018. N 2 (196). С. 34-46.

С. А. Лисицын, С. В. Балакирев, В. И. Авилов, А. С. Коломийцев, В. С. Климин, М. С. Солодовник, Б. Г. Коноплев, О. А. Агеев, Исследование режимов наноразмерного профилирования эпитаксиальных структур GaAs методом фокусированных ионных пучков // Российские нанотехнологии. 2018. Т.13, N1-2 С. 28-35.

В.А. Смирнов, Р.В. Томинов, В.И. Авилов, Н.И. Алябьева, З.Е. Вакулов, Е.Г. Замбург, Д.А. Хахулин, О.А. Агеев, Исследование мемристорного эффекта в нанокристаллических пленках ZnO // Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, вып. 1 с. 77-82.

В.А. Смирнов, Р.В. Томинов, В.И. Авилов, В.В. Полякова, О.А. Агеев Исследование эффекта резистивного переключения в не требующих формовки оксидных наноразмерных структурах титана // Известия ЮФУ. Технические науки, 2019, 2 (204), с. 201-213


Патенты

Патент на полезную модель "Элемент памяти на основе мемристорных наноструктур" RU 148 262 U1 от 27.03.2014

Патент на полезную модель "Элемент памяти на основе наноразмерной структуры" RU 159 171 U1 от 05.08.2015

Патент на изобретение "Способ биометрической идентификации личности по профилограммам паппилярного узора" RU 2 622 879 C1 от 20.06.2017

Патент на полезную модель "Устройство для биометричекой идентификации личности по профилограммам папиллярного узора" RU 174 151 U1 от 04.10.2017

Патент на изобретение "Способ повышения надежности биометрической идентификации личности при считывании отпечатка пальца" RU 2 686 824 C1 от 10.10.2017

Патент на изобретение "Способ повышения надежности биометрической идентификации личности по отпечатку пальца" RU 2 673 978 C1 от 10.01.2018

Программа ЭВМ "Программа расчета технологических режимов формирования оксидных наноструктур методом локального анодного окисления" N2018665747 от 10.12.2018

Программа ЭВМ "Программа для расчета распределения оксидных фаз в наноразмерных структурах металлов полученных методом локального анодного окисления" N2019619605 от 10.07.2019


https://www.scopus.com/authid/detail.uri?origin=resultslist&authorId=55532132400

https://app.webofknowledge.com/author/record/35839870

https://www.elibrary.ru/author_profile.asp?authorid=744059