Размер шрифта
Межстрочный интервал
Цвет
Вы студент и еще не зарегистрированы? Регистрация
На состоявшихся накануне собраниях отделений РАН были представлены результаты научных исследований за 2018 год и отобраны материалы для включения в Доклад о реализации государственной научно-технической политики в РФ и о важнейших научных достижениях, полученных российскими учеными, который РАН ежегодно предоставляет Президенту Российской Федерации и Правительству РФ.
В этом году собрание Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН (ОНИТ РАН) постановило включить в состав Доклада Президенту РФ результаты выполнения проекта РНФ N 15-19-10006 «Эпитаксиальные гетероструктуры с регулярными массивами самоорганизующихся наноструктур А3В5», (руководитель - член-корр. РАН, проф., д.т.н. Агеев О.А.; ответственный исполнитель – доц., к.т.н. Солодовник М.С.), который выполняется в НОЦ «Нанотехнологии» Южного федерального университета и на кафедре нанотехнологий и микросистемной техники Института нанотехнологий, электроники и приборостроения Южного федерального университета.
Члены ОНИТ РАН высоко оценили научный уровень и значимость полученных результатов, в том числе предложенный механизм, объясняющий существование критической толщины и смену режимов роста с 2D на 3D при формировании металлических нанокластеров и квантовых точек в процессе капельной эпитаксии полупроводников А3В5.
Научным коллективом проекта доказано, что в основе предложенного механизма лежит конкуренция, с одной стороны, процессов агрегации адатомов, обусловленной флуктуациями их поверхностной концентрации, а с другой – процессов их физико-химического связывания с поверхностью. Теоретические выводы были подтверждены результатами экспериментальных исследований на примере системы материалов In(Ga)/Ga(Al)As. Механизм регулирует не только геометрические и химические характеристики ансамбля наноструктур, но и характер эволюции смачивающего слоя, в том числе, момент и условия перехода системы от послойного роста к образованию трехмерных островков. Кроме того, было показано, как посредством варьирования кинетических и термодинамических параметров системы можно управлять процессами нуклеации, параметрами смачивающего слоя и самоорганизующихся капельных наноструктур, что, в свою очередь, позволяет расширить диапазон управления характеристиками квантоворазмерных структур на их основе.
Результаты могут быть использованы для оптимизации процессов получения гетероструктур с квантовыми точками, кольцами и комплексами на их основе для создания перспективных элементов однофотоники, квантово-криптографических систем и элементной базы квантового компьютинга.