Размер шрифта

A
A

Межстрочный интервал

A
A

Цвет

A
A

Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения

Авдеев Сергей Петрович

Кафедра нанотехнологий и микросистемной техники - Доцент

Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения; ул. Шевченко 2, г Таганрог, Ростовской области

E-mail:
Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
Персональная страница:
https://sfedu.ru/person/savdeev
Персональная страница на английском:
https://sfedu.ru/en/person/savdeev

Звание: доцент

Степень: Кандидат технических наук

Образование и повышение квалификации:

  • высшее образование: Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д. Калмыкова (01.09.1979 - 30.08.1984)
    0611 Вакуумные и полупроводниковые приборы
    Инженер электронной техники
  • послевузовское образование: Таганрогский государственный радиотехнический университет (01.09.1993 - 16.02.1996)
    05.27.05 - интегральные радиоэлектронные устройства
    кандидат технических наук
  • повышение квалификации: Томский государственный университет (23.05.2005 - 04.06.2005)
    Наноструктурные материалы на металлической и керамической основе: технология, структура и свойства
    Удостоверение
  • повышение квалификации: Южный Федеральный Университет (23.01.2017 - 24.02.2017)
    ПРОТИВОДЕЙСТВИЕ КОРРУПЦИИ В СФЕРЕ ОБРАЗОВАНИЯ
  • повышение квалификации: факультет управления Южного Федерального Университета (12.12.2014 - 26.12.2014)
    Организация учебного процесса и управление качеством образования
  • повышение квалификации: Южный Федеральный Университет (27.11.2017 - 14.12.2017)
    Технологии онлайн-обучения в деятельности преподавателя
  • повышение квалификации: Южный Федеральный Университет (18.06.2018 - 30.06.2018)
    Оказание первой доврачебной помощи
  • повышение квалификации: Южный Федеральный Университет (16.06.2018 - 25.06.2018)
    Информационные технологии в профессиональной деятельности

Дата начала общего стажа: 16.11.1983

Стаж по специальности (в годах): 34

Преподаваемые дисциплины:

  • Технология производства электронных средств
    Содержаться основы технологии производства электронных средств и методы изготовления радиоэлектронной аппаратуры, узлов и блоков с учетом технической экологии. Основы организации производственных и технологических процессов. Рассматриваются типовые технологические процессы и оборудование для изготовления коммутационных устройств, типовые технологические процессы сборки и монтажа электронных средств. Содержание курса Производство радиоэлектронных средств. Технические и технологические характеристики и требования к радиоэлектронных средств. Методы оценки качества радиоэлектронных средств. Единичные и комплексные показатели качества. Производственный и технологический процессы. Технологический процесс и его элементы. Коммутационные устройства. Конструктивно-технологические характеристики, методы изготовления печатных плат. Контроль качества печатных плат КУ. Основы теории сборочно-монтажных процессов. Принципы организации сборочномонтажных процессов. Типовые технологические процессы сборки и монтажа радиоэлектронных средств.
  • Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов
    Основные физические параметры полупроводников. Уравнение Пуассона. Удельная проводимость полупроводника. Основные соотношения полупроводниковой электроники. Типы электрических переходов в полупроводниках. Соотношение Эйнштейна. Cтруктура p-n перехода. Ширина ОПЗ р-n перехода. Емкость р-n перехода. Расчет сплавных выпрямительных диодов. Расчет диффузионного выпрямительного дио-да. Расчет СВЧ выпрямительного диода. Расчет сплавного биполярного транзистора. Параметры физической Т-образной эквивалентной схемы и h - параметры транзистора с общей базой и общим эмит-тером. Максимально допустимые параметры транзистора Расчет дрейфового планарно-эпитаксиального n+-n-p-n транзистора. Значения констант K1 и К2, связанных с парамет-рами диффузии примеси. Рассчитать распределения примеси в структуре N2(x), N1(x), N(x), N+(x). Электрофизические параметры слоев полупроводника. Параметры эквива-лентной схемы транзистора для большого сигнала. Параметры физической Т-образной эк-вивалентной схемы транзистора и h-параметры транзистора с общей базой и общим эмит-тером. Максимально допустимые параметры транзистора.
  • Технология выращивания кристаллов
    Рассматриваются общие сведения о полупроводниках и их классификация. Типы кристаллографических решеток, параметры и индексы Миллера. Основные понятия и определения фазового состояния равновесных систем. Физико-химические свойства ос-новных полупроводников. Обращение с чистыми веществами. Чистые помещения и их характеристики. Подготовка основных и вспомогательных материалов. Получение поли-кристаллического германия и кремния. Получение поликристаллических полупроводни-ковых соединений. Синтез соединений методом сплавления компонентов. Типы реакторов для син-теза разлагающихся п/п соединений. Методы выращивания монокристаллов. Процесс рос-та монокристалла. Распределение примеси в методах выращивания монокристаллов. Ле-гирование п/п материалов. Потери легирующей примеси. Подготовка монокристаллов к резке на пластины. Резка монокристаллов. Шлифовка пластин.

Дополнительная информация:

Область научных интересов ; вакуумная техника и вакуумные технологические процессы (осаждение материалов, получение тонких и толстых плёнок различных материалов, модификация поверхности); взаимодействие электронного пучка с рельефными и гладкими поверхностями полупроводников и диэлектриков; применение электронного луча в производстве оптических, электронных, микроэлектронных и других видов приборов; синтез стеклообразных пленок золь-гель методом; технология полупроводниковых материалов. Проектирование и конструирование вакуумного оборудования для электронно-лучевой обработки поверхности материалов и элементов приборов. Разработка технологических процессов электронно-лучевой обработки элементов прибора с целью получения определенных характеристик данного прибора.