РАВНОВЕСНАЯ СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ПОЛУПРОВОДНИКЕ. УРОВЕНЬ ФЕРМИ В ПОЛУПРОВОДНИКЕ

На рис. справа представлена модель, позволяющая проанализировать влияние температуры, степени легирования, положения донорных и акцепторных уровней на положение уровня Ферми и концентрацию электронов и дырок в полупроводнике.

Более подробно о равновесной статистике электронов и дырок в полупроводнике можно прочитать в приведенной ниже литературе.

Литература

  1. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников.-М.:Наука,1990.
  2. Шалимова К.В. Физика полупроводников.-М.:Энергоиздат,1985.